Page 1 1 LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE

advertisement
LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973)
VE KAPISI (AND GATE)
X
0
0
1
1
Y
0
1
0
1
Q=X.Y
0
0
0
1
X
Y
X
0
0
1
1
Y
0
1
0
1
Y
0
1
0
1
X
Y
Q
X
0
1
Y
0
1
0
1
Q=(X+Y)’
1
0
0
0
X
Y
Q
XOR KAPISI
X
0
0
1
1
Q
Q=X’
1
0
X
Q
VEYA DEĞİL (NOR GATE)
X
0
0
1
1
Q=(X.Y)’
1
1
1
0
DEĞİL KAPISI
(NOT GATE)
Q=X+Y
0
1
1
1
X
Y
Q
VE DEĞİL (NAND GATE)
X
0
0
1
1
VEYA KAPISI (OR GATE)
Y
0
1
0
1
X
Y
Q=X.Y’ + X’.Y
0
1
1
0
Q
LOJİK KAPILAR
İKİ GİRİŞLİ KAPILAR
ÜÇ GİRİŞLİ KAPILAR
TEK GİRİŞLİ KAPILAR
1
ANSI/IEEE-1973
ANSI/IEEE-1984
ÖRNEK BİR SAYISAL DEVRE VE DOĞRULUK TABLOSU
X
Y
F
Q
Z
x
Y
Z
p
X
0
0
0
0
1
1
1
1
Y
0
0
1
1
0
0
1
1
Z
0
1
0
1
0
1
0
1
F
0
0
0
0
0
0
1
1
p
0
1
0
0
0
0
0
0
Q
0
1
0
0
0
0
1
1
F=X.Y
P=X’.Y’.Z
Q=F+P
=X.Y+X’Y’Z
Q
2
SAYISAL LOJİK AİLELER
SAYISAL ELEMANLAR SADECE LOJİK İŞLEMLERİ İLE DEĞİL AYNI ZAMANDA AİT
OLDUKLARI TEKNOLOJİYE GÖREDE SINIFLANDIRILIRLAR
•İLK LOJİK İŞLEM AİLESİ:
•RTL: DİRENÇ TRANZİSTOR LOJİK
•DTL: DİYOT TRANZİSTOR LOJİK
•STANDART OLARAK KABUL EDİLEN LOJİK AİLE:
•TTL: TRANZİSTOR TRANZİSTOR LOJİK
•YÜKSEK HIZLI İŞLEM AİLESİ
•ECL: EMİTTER BAĞLAMALI LOJİK
•YÜKSEK ELEMAN YOĞUNLUĞU OLAN TÜMDEVRELER:
•MOS: METAL OKSİT YARIİLETKEN
•DÜŞÜK GÜÇ TÜKETİMİ OLAN TÜMDEVRELER:
•CMOS: COMPLEMENTARY (TÜMLEYİCİ) MOS
Vcc
Vcc
D1
A
RC
R
D2
D1
A
Y
D2
B
Y
RB
Y
A
R
B
DİYOD AND KAPISI
Vcc= VR+ VD + VA
Vcc=5v iken
VD1= VD2=5V Î VY=?
VD1= VD2=4V Î VY=?
VD1= 0V, VD2=5V Î VY=?
DİYOD VEYA KAPISI
TRANZİSTOR NOT KAPISI
Vcc= Vce + Ic.Rc
Vce= Vcc - IcRc
= Vcc – β.Ib.Rc
= Vcc – β.(Va-Vbe).Rc/Rb
= Vcc – β.(Va-0.6).Rc/Rb
Vce≤ Vce(sat) iken
Ic= ( Vcc-Vce(sat) )/ (Rc+Rce(sat))
Rce(sat) ≤ 50Ώ
Ic= ( Vcc-Vce(sat) )/ Rc olarak
hesaplanır
3
A
C
B
E
D
Z
F
Vcc
Vcc
D3
R1
C
A
R3
E
D4
D1
D5
D
R2
D2
Z
D6
B
F
Soru: Diyotlar ile oluşturulmuş AND ve OR kapılarının ardarda bağlantısının
Vcc= 5V, Giriş işaretleri 0V ve 5 V (lojik 0 ve 1) olarak alındığında
Girişlerin (VA, VB, VD, VF) lojik değerlerine bağlı olarak, çıkış (Vc, VE, Vz)
gerilimlerinin ifadelerini belirleyiniz. Bu bağlantı hakkında neler söylenebilir. (Direnç
değerlerinin çıkış gerilimleri üzerindeki etkisi tartışılacaktır)
Örnek: VA=VB=5V Î D1, D2 TIKAMADADIR. DOLAYISI İLE
VD=0 V Î VE= VCC - VR1 - VD3 = VE= VCC - VR1 - 0.6
VD=5 V Î VE= VCC-VD = 4.4V
DTL LOJİK
Vcc
• D1 VE D2 DİYODLARI
AND KAPISINI
OLUŞTURUR.
Vcc
RC
R1
D3
D1
A
D4
Y
X
D2
B
R2
Q
• D3 VE D4 DİYODLARI
TRANZİSTORU İLETİME
GEÇİREN Vx GİRİŞ
GERİLİMİNİ
YÜKSELTMEKTİR.
DTL NAND GATE
A
0
0
1
1
B Vx
Vy Tran. Q
0 <1.8 <0.6 OFF 1
1 <1.8 <0.6 OFF 1
0 <1.8 <0.6 OFF 1
1
1.8 0.6 ON
0
4
DTR LOJİK VE SOURCING CURRENT, SINKING CURRENT
Vcc
Vcc
D1
R1
RC
D3
Vcc
Vcc
ILEAK
D4
D1
R1
RC
D3
D4
OFF
ON
D2
D2
R2
R2
Vcc
GND
Vcc
Vcc
D1
R1
Vcc
Vcc
RC
D3
D4
D1
R1
RC
D3
D4
ON
OFF
D2
D2
R2
R2
Vcc
Vcc
RTL LOJİK
Vcc
RC
Q
Rb
C
Rb
Rb
B
A
RTL NOR GATE
Çalışmasını açıklayınız
5
TRANZISTOR – TRANZISTOR LOGIC (TTL)
Vcc
R1
4KΏ
R2
1.6KΏ
X=1 VE Y=1 ÎQ2 VE Q3
TRANZİSTORLARI İLETİMDE
Q1 VE Q4 TRANZİSTORLARI
KESİMDEDİR.
R3
130Ώ
Va
VQ2C=VBEon + VCESAT
Vc
Q4
X
Q4’ÜN İLETİMDE OLMASI İÇİN
EN AZ
Q1
D1
Vb
VCESAT+VBEon+VD1
Q2
Y
Q3
Z
Vd
R4
1KΏ
OLMALIDIR. D1, Q3 İLETİMDE
İKEN Q4’ÜN TIKAMADA
KALMASI İÇİN KULLANILMIŞTIR.
AKIM Q3 ÜZERİNDEN İÇERİYE
DOĞRU (SINK)
İKİ GİRİŞLİ TTL NAND KAPISI
X=0 VEYA Y=0 ÎQ1 İLETİMDE, Q2 VE Q3 KESİMDE, Q4 İLETİMDEDİR.
AKIM Q4 ÜZERİNDE DIŞARIYA DOGRU (SOURCE)
İKİ GİRİŞLİ TTL NOR KAPISI
Vcc
R1
R2
R3
Q5
X
Q3
Q1
D1
Z
R4
Y
Q6
R5
Q2
Q4
GND
Çalışmasını açıklayınız
6
EMITER COUPLED LOGIC (EMITTER BAĞLAMALI LOJİK)
Vcc
R1
300Ώ
R2
330Ώ
V1
X
Q1
V0
Q1’
Q3
R5
Q2
VBB
Y
VE
R4
R6
R3
1.3K
GND
X
0
0
1
1
Y
0
1
0
1
Q1
OFF
OFF
ON
ON
Q1’
OFF
ON
OFF
ON
Q3
ON
OFF
OFF
OFF
ÖZEL KARAKTERİSTİKLER
GÜRÜLTÜ PAYI (NOISE MARGIN)
VCC
VOH : “LOJİK 1” OLARAK ÜRETİLECEK
MİNİMUM ÇIKIŞ GERİLİMİ
VCC
VOL : “LOJİK 0” OLARAK ÜRETİLECEK
VOH
MAKSİMUM ÇIKIŞ GERİLİMİ
YÜKSEK DURUM
GÜRÜLTÜ PAYI
VIH : “LOJİK 1” OLARAK KABUL
VIH
LOJİK
OLMAYAN
DURUM
EDİLEBİLEN MİNİMUM GİRİŞ GERİLİMİ
LOJİK
OLMAYAN
DURUM
VIL : “LOJİK 0” OLARAK KABUL
EDİLEN MAKSİMUM giriş GERİLİMİ
VIL
VOL
0
çıkış
DÜŞÜK DURUM
GÜRÜLTÜ PAYI
0
giriş
TTL İÇİN DEĞERLER
VOH : 2.4 V
VOL : 0.4 V
VIH : 2 V
VIL : 0.8 V
YDGP: 2.4 – 2 = 0.4
DDGP: 0.8 – 0.4 = 0.4
7
ÇIKIŞ YELPAZESİ (FAN OUT)
Bir kapının çıkış yelpazesi, o kapının çıkışına bağlanabilecek ve kapının normal çalışmasını
etkilemeyecek standart yüklerin sayısı
IOL
IOH
IIH
TTL İÇİN
IOH : 400 µA
IIH : 40 µA
IOL : 16 mA
IIL : 1.6 mA
IIH
( IOH / IIH )
( IOL / IIL )
IIH
IIL
IIL
IIL
Oranlarından
Küçük olanı
seçilir.
GEÇİŞ ZAMANI (TRANSITION TIME)
GEÇİKMEYE NEDEN OLAN TÜMDEVRE İÇİNDE BULUNAN
ELEMANLARIN SAHİP OLDUKLARI ÇALIŞMA
ŞARTLARINDAKİ KAPASİTİF ETKİLERDİR.
YÜKSELME SÜRESİ
(RISE TIME)
DÜŞME SÜRESİ
(FALL TIME)
GEÇİKME ZAMANI (PROPAGATION DELAY)
İKİLİ SİSTEM İŞARETİNİN DEĞERİNDE BİR DEĞİŞİM
OLDUĞUNDA İŞARETİN GİRİŞTEN ÇIKIŞA (İŞARET
YOLU ÜZERİNDE) OLUŞAN GEÇİKMEDİR.
Giriş ve çıkış işaretinin %50 noktaları arasındaki zaman
farkı olarak tanımlanır. (Nanosn mertebesindedir.)
Bir TTL kapısı için
tpHL=7 nsn
tpLH=11 nsn
tpHL: 1 Î 0
GEÇİŞ SÜRESİ
tpLH: 0 Î 1
GEÇİŞ SÜRESİ
8
SORU: Aşağıdaki devrede bulunan elemanlar için propagation delay =0.01 mikrosn. dir. X girişi
olarak verilen işarete karşın Y çıkış işaretini çiziniz.
x
y
A
B
C
1 mikrosn
x
A
B
C
y
GÜÇ KAYBI (POWER DISSIPATION)
HER ELEKTRONİK DEVRE ÇALIŞMASI ESNASINDA BİR GÜÇ HARCAR. BU GÜÇ KAYBI Mw (mili
WATT) OLARAK İFADE EDİLİR VE KAPININ İHTİYACI OLAN GÜÇ MİKTARINI BELİRLER.
BİR KAPIDA KAYBOLAN GÜÇ MİKTARI ÇEKİLEN Icc AKIMI VE BESLEME GERİLİMİ Vcc İLE
BELİRLENİR.
GÜÇ=Vcc x Icc
IccH=Kapının çıkışı yüksek gerilim seviyesinde iken güç kaynağından çekilen akım (TTL NAND
kapısında Vcc=5V iken IccH=1 mA)
IccL=Kapının çıkışı düşük gerilim seviyesinde iken güç kaynağında çekilen akım(TTL NAND kapısında
Vcc=5V iken IccL=3 mA)
Ortalama Güç kaybı
Icc (ort)= (IccH + IccL) / 2
Pd (ort)= Icc (ort) x Vcc
9
AÇIK KOLLEKTOR (OPEN COLLECTOR) ÇIKIŞ
ÇIKIŞ TRANSİSTÖRÜ ÜZERİNE DIŞARIDAN BİR YÜK BAĞLAMAK İÇİN KULLANILAN ÇIKI ŞEKLİ. BU
ÇIKIŞLARDAN, ÇIKIŞ İŞARETİNİ KULLANABİLMEK İÇİN YÜK BAĞLAMAK GEREKLİDİR.
YÜK OLARAK
LED
ROLE
SELENOİD VALF
……..
Vcc
YÜK
BAĞLANABİLİR
ÜÇ DURUMLU ELEMANLAR (THREE STATE)
AYNI HATTI ORTAK OLARAK PAYLAŞAN ELEMANLARIN ÇIKIŞLARI 3 DURUMLUDUR.
CS
SAYISAL
SİSTEM
1
A0
A1
CS
CS
SAYISAL
SİSTEM
2
B0
B1
CS
X0
CS
SAYISAL
SİSTEM
3
X1
CS
10
ÜÇ DURUMLU TTL NAND KAPISI
R1
R2
R3
Va
Vc
X
Q4
Q1
D1
Vb
Q2
Y
Q3
R4
Z
CS
SORULARINIZ
11
Download