LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973) VE KAPISI (AND GATE) X 0 0 1 1 Y 0 1 0 1 Q=X.Y 0 0 0 1 X Y X 0 0 1 1 Y 0 1 0 1 Y 0 1 0 1 X Y Q X 0 1 Y 0 1 0 1 Q=(X+Y)’ 1 0 0 0 X Y Q XOR KAPISI X 0 0 1 1 Q Q=X’ 1 0 X Q VEYA DEĞİL (NOR GATE) X 0 0 1 1 Q=(X.Y)’ 1 1 1 0 DEĞİL KAPISI (NOT GATE) Q=X+Y 0 1 1 1 X Y Q VE DEĞİL (NAND GATE) X 0 0 1 1 VEYA KAPISI (OR GATE) Y 0 1 0 1 X Y Q=X.Y’ + X’.Y 0 1 1 0 Q LOJİK KAPILAR İKİ GİRİŞLİ KAPILAR ÜÇ GİRİŞLİ KAPILAR TEK GİRİŞLİ KAPILAR 1 ANSI/IEEE-1973 ANSI/IEEE-1984 ÖRNEK BİR SAYISAL DEVRE VE DOĞRULUK TABLOSU X Y F Q Z x Y Z p X 0 0 0 0 1 1 1 1 Y 0 0 1 1 0 0 1 1 Z 0 1 0 1 0 1 0 1 F 0 0 0 0 0 0 1 1 p 0 1 0 0 0 0 0 0 Q 0 1 0 0 0 0 1 1 F=X.Y P=X’.Y’.Z Q=F+P =X.Y+X’Y’Z Q 2 SAYISAL LOJİK AİLELER SAYISAL ELEMANLAR SADECE LOJİK İŞLEMLERİ İLE DEĞİL AYNI ZAMANDA AİT OLDUKLARI TEKNOLOJİYE GÖREDE SINIFLANDIRILIRLAR •İLK LOJİK İŞLEM AİLESİ: •RTL: DİRENÇ TRANZİSTOR LOJİK •DTL: DİYOT TRANZİSTOR LOJİK •STANDART OLARAK KABUL EDİLEN LOJİK AİLE: •TTL: TRANZİSTOR TRANZİSTOR LOJİK •YÜKSEK HIZLI İŞLEM AİLESİ •ECL: EMİTTER BAĞLAMALI LOJİK •YÜKSEK ELEMAN YOĞUNLUĞU OLAN TÜMDEVRELER: •MOS: METAL OKSİT YARIİLETKEN •DÜŞÜK GÜÇ TÜKETİMİ OLAN TÜMDEVRELER: •CMOS: COMPLEMENTARY (TÜMLEYİCİ) MOS Vcc Vcc D1 A RC R D2 D1 A Y D2 B Y RB Y A R B DİYOD AND KAPISI Vcc= VR+ VD + VA Vcc=5v iken VD1= VD2=5V Î VY=? VD1= VD2=4V Î VY=? VD1= 0V, VD2=5V Î VY=? DİYOD VEYA KAPISI TRANZİSTOR NOT KAPISI Vcc= Vce + Ic.Rc Vce= Vcc - IcRc = Vcc – β.Ib.Rc = Vcc – β.(Va-Vbe).Rc/Rb = Vcc – β.(Va-0.6).Rc/Rb Vce≤ Vce(sat) iken Ic= ( Vcc-Vce(sat) )/ (Rc+Rce(sat)) Rce(sat) ≤ 50Ώ Ic= ( Vcc-Vce(sat) )/ Rc olarak hesaplanır 3 A C B E D Z F Vcc Vcc D3 R1 C A R3 E D4 D1 D5 D R2 D2 Z D6 B F Soru: Diyotlar ile oluşturulmuş AND ve OR kapılarının ardarda bağlantısının Vcc= 5V, Giriş işaretleri 0V ve 5 V (lojik 0 ve 1) olarak alındığında Girişlerin (VA, VB, VD, VF) lojik değerlerine bağlı olarak, çıkış (Vc, VE, Vz) gerilimlerinin ifadelerini belirleyiniz. Bu bağlantı hakkında neler söylenebilir. (Direnç değerlerinin çıkış gerilimleri üzerindeki etkisi tartışılacaktır) Örnek: VA=VB=5V Î D1, D2 TIKAMADADIR. DOLAYISI İLE VD=0 V Î VE= VCC - VR1 - VD3 = VE= VCC - VR1 - 0.6 VD=5 V Î VE= VCC-VD = 4.4V DTL LOJİK Vcc • D1 VE D2 DİYODLARI AND KAPISINI OLUŞTURUR. Vcc RC R1 D3 D1 A D4 Y X D2 B R2 Q • D3 VE D4 DİYODLARI TRANZİSTORU İLETİME GEÇİREN Vx GİRİŞ GERİLİMİNİ YÜKSELTMEKTİR. DTL NAND GATE A 0 0 1 1 B Vx Vy Tran. Q 0 <1.8 <0.6 OFF 1 1 <1.8 <0.6 OFF 1 0 <1.8 <0.6 OFF 1 1 1.8 0.6 ON 0 4 DTR LOJİK VE SOURCING CURRENT, SINKING CURRENT Vcc Vcc D1 R1 RC D3 Vcc Vcc ILEAK D4 D1 R1 RC D3 D4 OFF ON D2 D2 R2 R2 Vcc GND Vcc Vcc D1 R1 Vcc Vcc RC D3 D4 D1 R1 RC D3 D4 ON OFF D2 D2 R2 R2 Vcc Vcc RTL LOJİK Vcc RC Q Rb C Rb Rb B A RTL NOR GATE Çalışmasını açıklayınız 5 TRANZISTOR – TRANZISTOR LOGIC (TTL) Vcc R1 4KΏ R2 1.6KΏ X=1 VE Y=1 ÎQ2 VE Q3 TRANZİSTORLARI İLETİMDE Q1 VE Q4 TRANZİSTORLARI KESİMDEDİR. R3 130Ώ Va VQ2C=VBEon + VCESAT Vc Q4 X Q4’ÜN İLETİMDE OLMASI İÇİN EN AZ Q1 D1 Vb VCESAT+VBEon+VD1 Q2 Y Q3 Z Vd R4 1KΏ OLMALIDIR. D1, Q3 İLETİMDE İKEN Q4’ÜN TIKAMADA KALMASI İÇİN KULLANILMIŞTIR. AKIM Q3 ÜZERİNDEN İÇERİYE DOĞRU (SINK) İKİ GİRİŞLİ TTL NAND KAPISI X=0 VEYA Y=0 ÎQ1 İLETİMDE, Q2 VE Q3 KESİMDE, Q4 İLETİMDEDİR. AKIM Q4 ÜZERİNDE DIŞARIYA DOGRU (SOURCE) İKİ GİRİŞLİ TTL NOR KAPISI Vcc R1 R2 R3 Q5 X Q3 Q1 D1 Z R4 Y Q6 R5 Q2 Q4 GND Çalışmasını açıklayınız 6 EMITER COUPLED LOGIC (EMITTER BAĞLAMALI LOJİK) Vcc R1 300Ώ R2 330Ώ V1 X Q1 V0 Q1’ Q3 R5 Q2 VBB Y VE R4 R6 R3 1.3K GND X 0 0 1 1 Y 0 1 0 1 Q1 OFF OFF ON ON Q1’ OFF ON OFF ON Q3 ON OFF OFF OFF ÖZEL KARAKTERİSTİKLER GÜRÜLTÜ PAYI (NOISE MARGIN) VCC VOH : “LOJİK 1” OLARAK ÜRETİLECEK MİNİMUM ÇIKIŞ GERİLİMİ VCC VOL : “LOJİK 0” OLARAK ÜRETİLECEK VOH MAKSİMUM ÇIKIŞ GERİLİMİ YÜKSEK DURUM GÜRÜLTÜ PAYI VIH : “LOJİK 1” OLARAK KABUL VIH LOJİK OLMAYAN DURUM EDİLEBİLEN MİNİMUM GİRİŞ GERİLİMİ LOJİK OLMAYAN DURUM VIL : “LOJİK 0” OLARAK KABUL EDİLEN MAKSİMUM giriş GERİLİMİ VIL VOL 0 çıkış DÜŞÜK DURUM GÜRÜLTÜ PAYI 0 giriş TTL İÇİN DEĞERLER VOH : 2.4 V VOL : 0.4 V VIH : 2 V VIL : 0.8 V YDGP: 2.4 – 2 = 0.4 DDGP: 0.8 – 0.4 = 0.4 7 ÇIKIŞ YELPAZESİ (FAN OUT) Bir kapının çıkış yelpazesi, o kapının çıkışına bağlanabilecek ve kapının normal çalışmasını etkilemeyecek standart yüklerin sayısı IOL IOH IIH TTL İÇİN IOH : 400 µA IIH : 40 µA IOL : 16 mA IIL : 1.6 mA IIH ( IOH / IIH ) ( IOL / IIL ) IIH IIL IIL IIL Oranlarından Küçük olanı seçilir. GEÇİŞ ZAMANI (TRANSITION TIME) GEÇİKMEYE NEDEN OLAN TÜMDEVRE İÇİNDE BULUNAN ELEMANLARIN SAHİP OLDUKLARI ÇALIŞMA ŞARTLARINDAKİ KAPASİTİF ETKİLERDİR. YÜKSELME SÜRESİ (RISE TIME) DÜŞME SÜRESİ (FALL TIME) GEÇİKME ZAMANI (PROPAGATION DELAY) İKİLİ SİSTEM İŞARETİNİN DEĞERİNDE BİR DEĞİŞİM OLDUĞUNDA İŞARETİN GİRİŞTEN ÇIKIŞA (İŞARET YOLU ÜZERİNDE) OLUŞAN GEÇİKMEDİR. Giriş ve çıkış işaretinin %50 noktaları arasındaki zaman farkı olarak tanımlanır. (Nanosn mertebesindedir.) Bir TTL kapısı için tpHL=7 nsn tpLH=11 nsn tpHL: 1 Î 0 GEÇİŞ SÜRESİ tpLH: 0 Î 1 GEÇİŞ SÜRESİ 8 SORU: Aşağıdaki devrede bulunan elemanlar için propagation delay =0.01 mikrosn. dir. X girişi olarak verilen işarete karşın Y çıkış işaretini çiziniz. x y A B C 1 mikrosn x A B C y GÜÇ KAYBI (POWER DISSIPATION) HER ELEKTRONİK DEVRE ÇALIŞMASI ESNASINDA BİR GÜÇ HARCAR. BU GÜÇ KAYBI Mw (mili WATT) OLARAK İFADE EDİLİR VE KAPININ İHTİYACI OLAN GÜÇ MİKTARINI BELİRLER. BİR KAPIDA KAYBOLAN GÜÇ MİKTARI ÇEKİLEN Icc AKIMI VE BESLEME GERİLİMİ Vcc İLE BELİRLENİR. GÜÇ=Vcc x Icc IccH=Kapının çıkışı yüksek gerilim seviyesinde iken güç kaynağından çekilen akım (TTL NAND kapısında Vcc=5V iken IccH=1 mA) IccL=Kapının çıkışı düşük gerilim seviyesinde iken güç kaynağında çekilen akım(TTL NAND kapısında Vcc=5V iken IccL=3 mA) Ortalama Güç kaybı Icc (ort)= (IccH + IccL) / 2 Pd (ort)= Icc (ort) x Vcc 9 AÇIK KOLLEKTOR (OPEN COLLECTOR) ÇIKIŞ ÇIKIŞ TRANSİSTÖRÜ ÜZERİNE DIŞARIDAN BİR YÜK BAĞLAMAK İÇİN KULLANILAN ÇIKI ŞEKLİ. BU ÇIKIŞLARDAN, ÇIKIŞ İŞARETİNİ KULLANABİLMEK İÇİN YÜK BAĞLAMAK GEREKLİDİR. YÜK OLARAK LED ROLE SELENOİD VALF …….. Vcc YÜK BAĞLANABİLİR ÜÇ DURUMLU ELEMANLAR (THREE STATE) AYNI HATTI ORTAK OLARAK PAYLAŞAN ELEMANLARIN ÇIKIŞLARI 3 DURUMLUDUR. CS SAYISAL SİSTEM 1 A0 A1 CS CS SAYISAL SİSTEM 2 B0 B1 CS X0 CS SAYISAL SİSTEM 3 X1 CS 10 ÜÇ DURUMLU TTL NAND KAPISI R1 R2 R3 Va Vc X Q4 Q1 D1 Vb Q2 Y Q3 R4 Z CS SORULARINIZ 11