Cevap 1. a. Bir diyota zener bölgesine girmeksizin uygulanabilecek en büyük tersine öngerilimleme potansiyeline ters tepe gerilimi adı verilir. b. Değişken dalga biçiminin geri kalan kısmını bozmaksızın, giriş sinyalinin bir bölümünü kesme özelliğine sahip olan devrelere kırpıcı devreler adı verilir. c. Öngerilimleme ve karşılaştırmaya yönelik sabit bir referans gerilimi sağlamak için zener diyot kullanılır. d. Bipolar Jonksiyonlu Transistor(BJT) akım kontrollü yarıiletken bir devre elemanıdır. e. Bipolar Jonksiyonlu Transistorün küçük işaret analizinin aşamaları aşağıdaki gibidir: 1. DC gerilim kaynakları kısa devre edilir. 2. Kondansatör elemanları kısa devre elemanı olarak göz önüne alınır. 3. BJT yerine eşdeğer devresi konur. f. Kondansatör elemanı BJT ün dc öngerilimlenmesinde açık devre elemanı gibi davranır. g. Bipolar Jonksiyonlu Transistorün küçük işaret analizi neticesinde giriş ve çıkış empedansı ile gerilim ve akım kazancı elde edilir. i. BJT ün herhangi bir çalışma noktasında küçük işaret analizini yapmak için re eşdeğer devre kullanılır. Cevap 2. b.) PIV 39 .3 Volt , c.) Vdc 0.636 (Vm VT ) 0.636 (20 0.7) 0.636 19.3 12.2748 Volt Cevap 3. I RL VRL VZ 20V 20 mA RL RL 1k Vi Vi min iken I RL I RS 20 mA dir. O halde; RS Vi min V Z V RS (30 20 )V 0.5k 500 I RS I RS 20 mA Vi max I RS max RS VZ I RS max I Z max I RL I RS max Vi max VZ RS I Z max I RS max I RL (50 20 )V 30V 60 mA 0.5k 0.5k I RS max I Z max 60 20 40 mA Cevap 4. Baz-emetör çevre denkleminden aşağıdaki denklem yazılır. V EE RE .I E V EB R B .I B 0 VEE RE .(1 ) I B V EB R B .I B 0 IB V EE V EB 12 0.7 11 .3 11 .3 0.0375 mA R B R E .( 1) 180 1.2 x101 180 121 .2 301 .2 I C .I B 100 x0.0375 mA 3.75mA I E ( 1).I B 101 x0.0375 mA 3.789 mA Kollektör-emetör çevre denkleminden aşağıdaki denklem yazılır. VEE RE .I E VEC 0 V EC V EE R E .I E VEC 12 1.2 x3.789 12 4.5468 7.4532 Volt