elektroniğe giriş laboratuvarı

ELEKTRONİĞE GİRİŞ LABORATUVARI
DENEY 3
TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER
Amaç:
Deneyde tranzistorlu kuvvetlendirici devrelerin davranışının incelenmesi için
uygulamalar yapılması amaçlanmıştır.

İlk deneyde şekil 2-a’daki devre kurulmuştur. Devredeki c1,c2,c3,Rg,Ry,Vg
elemanları devreden çıkarılmıştır. Bunun sebebi, devrenin DC özelliğinin incelenebilmesi ve
tranzistorun kutuplanmasıdır. Vcc değeri 15 V için VB,VC ve VE gerilimleri ölçülmüştür.
Ölçülen değerler aşağıda verilmiştir:
VB (V)
VC (V)
VE (V)
1,874
6,054
1,26
Tablodaki değerler kullanılarak tranzistorun kolektör akımının değeri hesaplanmıştır:
IC.RC = VCC – VC
IC.(8,2kΩ) = 15 – 6,054 V
IC = 1,0909 mA

Sonraki deneyde daha önce devre dışı bırakılan elemanlar devreye eklendi. Devrenin
çıkışında düzgün bir sinüs işareti elde edebilmek için Vg girişine uygulanan sinüs
işaretinin genliği değiştirilmiştir. Düzgün bir sinüs işareti elde edildikten sonra VB, VC ve
VE gerilimlerinin değişimi osiloskopta gözlenmiştir. Osiloskopta gözlenen değerlere göre
baz ve emetör gerilimlerinin değeri -0,1 V ve +0,1 V arasında değişirken kolektör
geriliminin değeri -0,5 V ile +0,5 V arasında değişmektedir. Sonuç olarak tranzistorun
baz-emetör gerilimi ve kolektör-baz gerilimi pozitif çıktığından ileri yönde çalıştığı
anlaşılmaktadır. Deneyde gözlenen işaretler rapor sonuna eklenmiştir.

Bir sonraki deneyde girişe uygulanan işaretin genliği çok arttırılmış ve tranzistorun
çıkışında her iki tepede de kırpılma elde edilmiştir. Kırpılmanın değerinin en fazla Vcc
gerilimi kadar olması beklenmiştir. Deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna
eklenmiştir.

Bir sonraki aşamada c3 devre dışı bırakılarak daha önce yapılan işlemler
tekrarlanmıştır. Devre için AC analizi yapılmıştır. Devrede c3 kondansatörü varken RE
direnci kısa devre olmakta ve tranzistorun davranışına etki etmemektedir. c3 kondansatörü
çıkarıldığında RE direnci tranzistorun davranışına etki etmeye başlayacaktır. Buna göre,
devrenin kazancı azalır çünkü kazanç denkleminin paydasında bulunan RE değeri
büyümüştür. Deneyde baz, emetör ve kolektör gerilimlerinin değişimleri osiloskop ile
gözlenmiştir. Bu deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna eklenmiştir.

Daha sonra şekil 2-b’deki devre kurulmuştur. Girişe genlikleri farklı olan sinüs
işaretleri uygulanarak çıkışta düzgün bir sinüs işareti elde edilmeye çalışılmıştır. Baz,
emetör ve kolektör gerilimlerinin değişimleri osiloskop ile gözlenmiştir. Yine, baz ve
emetör gerilimleri -0,1 V ile +0,1 V arasında değişmekte iken kolektör gerilimi -0,5 V ile
+0,5 V arasında değişmektedir. Deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna eklenmiştir.

Aynı devrede c1 kondansatörü devre dışı bırakılarak tekrar ölçüm yapılmıştır. Devre
için AC analizi yapılmıştır. Kondansatörler kısa devre alınacağından c1 devrede iken R2
direnci kısa devre olmakta; c1 devre dışı iken R2 devreye dahil edilmiş olacaktır. Buna
göre, tranzistorun kazanç denkleminde paydada bulunan baz eşdeğer direncinin değeri
azalacaktır. Bu da kazancı arttırır. Deneyde gözlenen baz, emetör ve kolektör
gerilimlerinin değişimleri rapor sonuna eklenmiştir.
 BJT ve MOSFET arasındaki farklar:
1. BJT’lerde akım ile akım kontrol edilirken; MOSFET’lerde gerim ile akım
kontrol edilir.
2. BJT’lerde çıkış akımı akım ile kontrol edildiğinden girişe her zaman akım
uygulanmak zorundadır. MOSFET’lerde çıkış akımı gerilim ile kontrol
edildiğinden girişe akım uygulanmak zorunda değildir.
3. BJT’lerin kapladığı alan fazladır ve giriş direnci fazla, giriş kazancı azdır.
MOSFET’lerin kapladığı alan az olup giriş direnci az, giriş kazancı
fazladır.