Elektroniğe Giriş (Bilgisayar Mühendisliği)

Elektroniğe Giriş
Ödev 5
Ali Zeki
(Yarıyılsonu sınavı sırasında veya daha önce teslim edilecek – sonrasında değil !) 06/05/2010
SORU-1:
Şekil 1a ve Şekil 1b’deki işlemsel kuvvetlendiriciler idealdir ve çıkış doyma gerilimi seviyeleri VO+=15V
ve VO–=-15V ’tur.
a) Şekil 1a’daki devre için, vO ’yu v1 ,v2 ve v3 cinsinden ifade ediniz.
b) Aşağıdaki durumlar için vO ’yu belirleyiniz.
i) v1=v2=v3=3V
ii) v1=v2=v3=-6V
c) R yanlışlıkla devreden çıkarılırsa (açık devre), (b)’yi tekrarlayınız.
d) 2R yanlışlıkla devreden çıkarılırsa (açık devre), (b)’yi tekrarlayınız.
e) Şekil 1b’deki devre için, devre Şekil 1c’deki vO-vI karakteristiğini sağlayacak biçimde, k katsayısı
ve VA gerilimi değerlerini belirleyiniz.
Şekil 1
SORU-2:
Şekil 2’de kullanılan n-kanallı MOSFET için parametreler aşağıdaki gibi verilmektedir.
βn=(W/L)μnCox=500μA/V2 , VTh=0.9V , λ≈0
a) MOSFET’i doymada (kısılma) varsayarak,
MOSFET’in ID akımının DC değerini
belirleyin.
b) RD direnci için, MOSFET’in doymada
çalışmasını sağlayan koşulu belirleyin.
c) RD=6.8kΩ seçilirse, küçük işaret gerilim
kazancı vo/vg ’yi belirleyin.
d) vg 0.1V genlikli sinüs biçimli bir işaretse,
MOS transistorun geçit (gate), savak
(drain) ve kaynak (source) uçlarındaki
gerilimlerin değişimini çizin (RD=6.8kΩ kullanın).
e) vo/vg’yi artırmak için nasıl bir değişiklik önerirdiniz?
Şekil 2