Elektroniğe Giriş (Bilgisayar Mühendisliği)

Elektroniğe Giriş
Ödev 4 ve 5
Ali Zeki
(Yarıyılsonu sınavında teslim edilecek)
30/07/2009
ÖDEV 4:
Şekil 1a ve Şekil 1b’deki işlemsel kuvvetlendiriciler idealdir ve çıkış doyma gerilimi seviyeleri VO+=15V
ve VO–=-15V ’tur.
a) Şekil 1a’daki devre için, vO ’yu v1 ,v2 ve v3 cinsinden ifade ediniz.
b) Aşağıdaki durumlar için vO ’yu belirleyiniz.
i) v1=v2=v3=3V
ii) v1=v2=v3=-6V
c) R yanlışlıkla devreden çıkarılırsa (açık devre), (b)’yi tekrarlayınız.
d) 2R yanlışlıkla devreden çıkarılırsa (açık devre), (b)’yi tekrarlayınız.
e) Şekil 1b’deki devre için, devre Şekil 1c’deki vO-vI karakteristiğini sağlayacak biçimde, k katsayısı
ve VA gerilimi değerlerini belirleyiniz.
Şekil 1
ÖDEV 5:
Şekil 2’de kullanılan n-kanallı MOSFET için parametreler aşağıdaki gibi verilmektedir.
βn=(W/L)μnCox’=500μA/V2 , VTh=0.9V , λ≈0
a) MOSFET’i kısılmada (doyma) varsayarak,
ID akımının DC değerini belirleyin.
b) RD direnci için, MOSFET’in kısılmada
çalışmasını sağlayan koşulu belirleyin.
c) RD=6.8kΩ seçilirse, küçük işaret gerilim
kazancı vo/vg ’yi belirleyin.
d) vg 0.1V genlikli sinüs biçimli bir işaretse,
MOS transistorun geçit (gate), savak
(drain) ve kaynak (source) uçlarındaki
gerilimlerin değişimini çizin (RD=6.8kΩ
kullanın).
e) vo/vg’yi artırmak için nasıl bir değişiklik önerirdiniz?
Şekil 2