Bölüm 11: Doğrusal Olmayan Optik Alıştırmalar 11.1 (a) Şiddeti I (W/m2) olarak verilen ışığın, doğrusal kırılma indisi n olan madde ortamı içinde elektrik alanının (E) 1/ 2 I E = 27, 4 n olarak verilebileceğini gösteriniz. (b) I=2,5 W/cm2 lazer ışığının GaAs yarıiletken içinde oluşturacağı elektrik alanın büyüklüğü nedir? Çözüm: (a) 2 c = (ε o n2 ) E n 1 I 1 I 2 = E = 2 ε oc n ε oc n I = εv E E 2 2 1 I E = 2 ε oc n 1/ 2 1/ 2 1/ 2 I 2 = . −12 8 8,85 × 10 ( F / m) × 2, 99 × 10 (m / s ) n 1/ 2 I E = 27, 4 n veya E I= η 2 E = 2 ηo / n E =n 1/ 2 1/ 2 E ≅ (377Ω) 2I n 2 2 ( µo / ε o )1/ 2 E 1 = n 2 ( µo / ε o )1/ 2 1/ 2 I = 27, 4 n (V / m) 1 E 2 ηo ≅ 377Ω E = (b) I=2,5 W/cm2 1/ 2 1/ 2 I E ≅ 27, 4 n (V / m) 2,5 ×10 4 W / m 2 E ≅ 27, 4 3.6 (V / m) = 2283 V / m 11.2 Doğrusal olmayan etkileri gözleyebilmek için gerekli olan ışık gücünün değeri ne mertebededir? Böyle bir ışık kaynağının foton akısı nedir? Çözüm: Optik alan (E) ile ışık şiddet arasındaki I (W/m2) ilişkinin 1/ 2 I E = 27, 4 n olduğu hatırlanırsa atomda bir elektronu atoma bağlayan elektrik alanın büyüklüğü yaklaşık 1010-1011 V/m2 mertebesindedir. Buna göre şiddet 2 2 1011 V / m E 19 2 = I = n n = n × (1, 3 × 10 ) W / m 27, 4 27, 4 I I I n × (1,3 × 1019 ) W / m 2 I = N hω ⇒ N = = = λ= hω hcn(2π λ ) hcn n × (6, 62 × 10−34 J / m 2 ) × (3 × 108 m / s ) (1, 3 × 1019 ) W / m 2 λ (m) = 6,5 × 1043 λ (m) foton / s − m 2 (6, 62 × 10−34 J − s ) × (3 × 108 m / s ) olarak dalgaboyuna bağlı olarak bulunur. N= 11.3 Doğrusal olmayan ortamda Maxwell denkleminin r r 1 ∂2 E ∇ E - 2 2 = −S v ∂t 2 r r şeklinde yazılabileceğini ve doğrusal olmayan terimlerin, S = µo ∂ 2 P( E ) ∂t 2 kaynak terimini içeren şekilde verilebileceğini gösteriniz. Çözüm: r r r r 1 ∂2E ∂ 2 P( E ) ∇ E - 2 2 = µo c ∂t ∂t 2 2 r r r r r r P( E )= ε o χ (1) E + ε o χ (2) E 2 + ε o χ (3) E 3 + ... = ε o χ (1) E + PNL r r r r 1 ∂2 E r ∂ 2 P( E ) ∂2 ∇ E - 2 2 = µo = µ ε o χ (1) E + PNL o 2 2 c ∂t ∂t ∂t 2 ( r r 2 r 1 ∂2E ∂ 2 PNL (1) ∂ E ∇ E - 2 2 = µ oε o χ + c ∂t ∂t 2 ∂t 2 2 ) r 2 r 1 ∂ 2 PNL (1) ∂ E ∇ E - 2 + µ oε o χ 2 = ∂t 2 c ∂t r r 2 r 1 ∂2 E ∂ 2 PNL (1) ∂ E ∇ E - 2 2 − µo ε o χ = c ∂t ∂t 2 ∂t 2 2 2 r 2 r 1 ∂ 2 PNL (1) ∂ E ∇ E - + µ ε χ = 2 o o 1/ 2 2 ∂t 2 (1/( µoε o ) ) ∂t 2 n 2 = 1 + χ (1) , c = 1/( µoε o )1/ 2 , v = c / n r r 2 2 r r 1 ∂ 2 PNL (1) ∂ E 2 (1) ∂ E ∇ E - + = ∇ E 1 + = µ ε χ µ ε χ ) ∂t 2 ∂t 2 2 o o o o( 1/ 2 2 (1/( µoε o ) ) ∂t 2 r r 1 ∂ 2 E ∂ 2 PNL ∇ E- 2 2 = v ∂t ∂t 2 2 11.4 (a) İkinci harmonik üretiminde ışık şiddetinin 2 I ∝ E (2ω ) = sin [ ko (nω − n2ω )d ] 2 (nω − n2ω ) şeklinde verilebileceğini gösteriniz. (b) Yukarıda verilen ifadenin maksimum olma koşulu (faz eşleme) için kristal kalınlığının du = λo 4 nω − n2ω olduğunu gösteriniz. Çözüm: r r r r r 1 ∂ 2 E (r,t) ∂ 2 P( E (r,t)) ∂2 µ µ ε o χ (1) E (r,t) + PNL ∇ E (r,t) - 2 = = o o 2 2 2 c ∂t ∂t ∂t ( 2 +z doğrultusunda ilerleyen, ω1, ω2 ve ω3 frekanslı 3 dalgaya odaklanalım E (ω1 ) (r , t ) = Eω1 ( z )ei (ω1t − k1 z ) E (ω1 ) (r , t ) = Eω1 ( z )ei (ω1t − k1 z ) E (ω+ ) (r , t ) = Eω1 ( z ) Eω2 ( z )e [ i ω1 +ω2 ) t − ( k1 + k2 ) z ] E (ω− ) (r , t ) = Eω1 ( z ) Eω2 ( z )e [ i ω1 −ω2 ) t − ( k1 − k2 ) z ] ) Ortamdaki anlık optik alan r r r r r 1 ∂ 2 E (r,t) ∂ 2 P( E (r,t)) ∂2 ∇ E (r,t) - 2 = µ = µ ε o χ (1) E (r,t) + PNL o o 2 2 2 c ∂t ∂t ∂t ( 2 ) Alanın konuma göre değişimi dE (2ω ) ( z ) µ (2) (ω ) 2 i∆kz = −iω χ E ( z ) e burada ∆k ≡ k3 − 2k1 = k (2ω ) − 2k (ω ) ε dz d yolunu alan 2ω frekanslı dalganın çıkışdaki değeri d E (2ω ) (d ) = −iω µ (2) (ω ) 2 ei∆kd − 1 χ E ε i∆k 2 (2) 2 2 2 4 µ ω (χ ) 2 sin ( ∆kd / 2) ω I ∝ E (2ω ) (d ) E *(2ω ) (d ) = E (2ω ) (d ) = E ( ) d ∆kd / 2 n2 ε (b) sin [ ko (nω − n2ω )d ] (nω − n2ω ) d u = (2n + 1) 2 π 2 λo 1 π = (2n + 1) 2 ko (nω − n2ω ) 2 2π (nω − n2ω ) π d u = (2n + 1) 11.5 sin [ ko (nω − n2ω )d ] = 1 ⇒ ko (nω − n2ω )d u = (2n + 1) = I mak λo 4(nω − n2ω ) n = 0 için du = λo 4(nω − n2ω ) Üçüncü dereceden doğrusal olmayan etkilerin etkin olduğu bir ortamda, gücü P, kesit alanı A olan ışığın uzunluk başına oluşan faz kaymasının ∆ϕ = 2π n2 P λo A olarak verilebileceğini gösteriniz. Çözüm: n Optik faz ifadesi ϕ = kL = nko L = ϕ = kL = 2π n λo L= 2π λo λo 2π L= 2π n λo L (no + n2 I ) L Faz kayması ∆ϕ = ϕno − ϕn2 = 2π λo no L − 2π λo (no + n2 I ) L = 2π λo n2 IL Birim uzunluk başına faz kayması ∆ϕ 2π P 2π n2 P = n2 ( ) = ( ) L λo A λo A 11.6 Kırılma indisi no ve ne olan negatif tek eksenli çiftkırıcı bir ortamda ω ve 2ω frekanslı dalgaların aynı grup hızına sahip olabilmesi için geliş açısının, optik eksen ile yaptığı açının oe (nω )−2 − (n 2ω ) −2 1/ 2 φu o o θu = arcsin 2ω −2 (ne ) − (no2ω ) −2 olduğunu gösteriniz. noω Çözüm: Negatif tek eksenli kristal neω < noω durumunda neω ne2ω (θu ) = noω (θu ) ne2ω cos 2 θu sin 2 θu 1 + 2ω 2 = ω 2 2ω 2 (no ) (ne ) (no ) θu için çözüm yapılırsa cos 2 θu = 1 − sin 2 θu 1 − sin 2 θu sin 2 θu 1 + 2ω 2 = ω 2 2ω 2 (no ) (ne ) (no ) no2ω sin 2 θu sin 2 θu 1 1 − 2ω 2 = 2ω 2 − ω 2 2ω 2 (no ) (ne ) (no ) (no ) 1 1 1 1 sin 2 θu 2ω 2 − 2ω 2 = 2ω 2 − ω 2 (no ) (ne ) (no ) (no ) ( n 2ω ) 2 − ( n 2 ω ) 2 ( n ω ) 2 − ( n 2ω ) 2 sin 2 θu e 2ω 2 2ωo 2 = o 2ω 2 2oω 2 (no ) (ne ) (no ) (no ) ( n ω ) 2 − ( n 2ω ) 2 ( n 2ω ) 2 ( n 2ω ) 2 sin 2 θu = o 2ω 2 2oω 2 2ωo 2 e 2ω 2 (no ) (no ) (ne ) − (no ) ω 2 (n ) 1 sin 2 θu = 2oω 2 − 1 2ω 2 n ( ) ( n ) o 1− o ( n 2ω ) 2 e 11.7 (nω )−2 − (n 2ω ) −2 1/ 2 o elde edilir. θu = arcsin 2oω −2 (ne ) − (no2ω ) −2 KDP malzemesi için 694 nm dalgaboylu lazer kullanıldığında faz eşleme açısını bulunuz? Çözüm: Dalgaboyu λ=694 nm olan lazer ışığının üreteceği ikinci harmoniğin dalgaboyu λ=347 nm olacaktır. Buna göre her iki dalga için KDP malzemesinin kırılma indis değerlerini bulmak gerekir. Maksimum şiddet için indis eşleme açısı oe (nω ) −2 − (n 2ω ) −2 1/ 2 o φu (b) θu = arcsin 2oω −2 (ne ) − (no2ω ) −2 (a) no(694 nm): 1,506, no(347 nm): 1,534, ne(347 nm)=1,490 (1,506) −2 − (1,534) −2 1/ 2 ≅ 53o θu = arcsin −2 −2 (1, 490) − (1,534) no ω neω ne2 no2ω ω 11.8 Merkezi simetri (terslenme simetrisi-inversin symmmetry) özelliği gösteren kristallerde ikinci dereceden doğrusal olmayan optik katsayısının (χ(2)) sıfır olacağını gösteriniz. Çözüm: Kutuplanma vektörü r r r r r P( E )= ε o χ (1) E + ε o χ (2) E 2 + ε o χ (3) E 3 + ... Merkezi simeriye sahip kristallerde r → –r olduğunda kristal aynı özelliğe sahip olur. Böyle bir ortamda elektrik alanını yönü değiştirilirse kutuplanma vektörünün yönünün de değişmesi beklenir çünkü her taraf aynı özelliğe sahip. E → +E P → (+P) P = ε o χ (2) (E).(E)= P ……….1 E → (-E) P → (-P) − P = ε o χ (2) (-E).(-E)= P …….2 2 nolu denklemin P = ε o χ (2) (-E).(-E)= -P sağlanabilmesi için χ (2) = 0 olması gerekir. 11.9 Helmholtz eşitliğinin ∇ 2 E (r ) + ko2 n 2 ( I ) E (r ) = 0 genliğin yayılma doğrultusu ile yavaş değiştiği paraksiyal yaklaşıklık durumunda ve doğrusal olmayan etkinin ( n( I ) = no + n2 I ) çok küçük olduğu (n2 <<1 ) durumda ∂ 2 Eo ( x, z ) ∂Eo ( x, z ) n2 ko2 2 − 2 ik + Eo ( x, z ) Eo ( x, z ) = 0 o 2 ∂x ∂z ηo şeklinde yazılabileceğini gösteriniz. Çözüm: Genliğin yayılma doğrultusu ile yavaş değiştiği paraksiyal ışık durumunda ∂2 ∂2 ∂2 ∂2 2 ∇ ≡ 2 + 2 + 2 = ∇T + 2 ∂x ∂y ∂z ∂z 2 ∇T2 E (r ) + ∂Eo ∂ 2 Eo ∂ 2 E (r ) 2 2 2 + k n ( I ) E ( r ) = 0 ∇ E − 2 ik + 2 + ko2 n 2 ( I ) E = 0 o T o o 2 ∂z ∂z ∂z Paraksiyel yaklaşım ∂ 2 Eo ( x, z ) ∂E ( x, z ) << ko o ∂z 2 ∂z y=0 olduğundan => ∇T2 ≡ ∂2 ∂x 2 ∂Eo + ko2 n 2 ( I ) E = 0 ∂z küçük olduğu (n2 <<1 ∇T2 Eo − 2iko Doğrusal olmayan etkinin çok E2 ( n( I ) = no + n2 I ve I = olduğundan) 2η n 2 ( I ) − n 2 = [ n ( I ) + n ].[ n ( I ) − n ] = n2 I (2 n + n2 I ) ≅ 2nn2 I = n 2 n2 Em2 Eo ( x , z ) ∂ 2 E ( x, z ) ∂E ( x, z ) − i 2ko n + ko2 n 2 ( I ) − n 2 E ( x, z ) = 0 2 ∂x ∂z elde edilir. ) ηo durumda 2